IPB80P03P4L07ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB80P03P4L07ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1000+ | $1.3513 |
2000+ | $1.2581 |
5000+ | $1.2115 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Vgs (Max) | +5V, -16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 88W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB80P |
IPB80P03P4L07ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB80P03P4L07ATMA1 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
P-CHANNEL POWER MOSFET
IPB80P04P4L-08 INFINEON
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
INFINEON TO-263
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
INFINEON TO-263
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB80P03P4L07ATMA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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